Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 11, страницы 2381–2383 (Mi qe6507)  

Краткие сообщения

Электроразрядный HF-лазер с энергией излучения свыше 20 Дж и высоким техническим КПД

С. Д. Великанов, А. Ф. Запольский, M. В. Синицин, Ю. Н. Шереметьев
Аннотация: Приведены результаты исследований химического HF-лазера с инициированием рабочей смеси F2 : O2 : SF6 : H2 = 3 : 1 : 3 : 1 продольным электрическим разрядом. В результате оптимизации по уровню инициирования получен технический КПД HF-лазера ηт = 63 % при физическом КПД 120 %. Удельный энерговклад, оптимальный для получения высокого ηт составил 80 Дж/л·атм. Максимальная энергия генерации 23 Дж получена при давлении смеси 28 мм рт. ст. и ηт = 50 %.
Поступила в редакцию: 15.02.1984
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, Volume 14, Issue 11, Pages 1579–1581
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1984v014n11ABEH006507
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.33
PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Lh


Образец цитирования: С. Д. Великанов, А. Ф. Запольский, M. В. Синицин, Ю. Н. Шереметьев, “Электроразрядный HF-лазер с энергией излучения свыше 20 Дж и высоким техническим КПД”, Квантовая электроника, 11:11 (1984), 2381–2383 [Sov J Quantum Electron, 14:11 (1984), 1579–1581]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6507
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i11/p2381
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024