|
Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 1, страницы 190–192
(Mi qe6452)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Новая реверсивная запоминающая оптоэлектронная среда
М. В. Долгов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, И. В. Ербен, В. Шарф, А. Вольф Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Исследованы характеристики переключения и фоточувствительность реверсивной запоминающей оптоэлектронной среды на базе планарных МДПДМ-структур. Оценки показывают, что информация в такой среде может записываться с плотностью больше чем 107 бит/см и с энергией для записи одного бита информации около 2·10–13 Дж.
Поступила в редакцию: 07.02.1986
Образец цитирования:
М. В. Долгов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, И. В. Ербен, В. Шарф, А. Вольф, “Новая реверсивная запоминающая оптоэлектронная среда”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 190–192 [Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 110–112]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6452 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i1/p190
|
|