|
Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 1, страницы 170–176
(Mi qe6448)
|
|
|
|
Высокоэффективный полупроводниковый лазер с продольной накачкой арсенида галлия сканирующим электронным пучком
А. А. Губарев, В. И. Козловский, Б. М. Лаврушин, А. С. Насибов, П. В. Резников Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Приведены характеристики эффективности лазерных элементов из арсенида галлия с разной толщиной кристалла при энергии электронов 50 и 75 кэВ и температуре 80 и 300 K. Внутренняя дифференциальная эффективность лазера достигает 24 ± 5 % при 80 K и 7,1 ± 1,5 % при 300 K. Показано, что при интенсивности излучения лазера 105 Вт/см2 и более имеет место просветление пассивной части резонатора, благодаря чему и реализуется высокая эффективность лазера.
Поступила в редакцию: 12.11.1985
Образец цитирования:
А. А. Губарев, В. И. Козловский, Б. М. Лаврушин, А. С. Насибов, П. В. Резников, “Высокоэффективный полупроводниковый лазер с продольной накачкой арсенида галлия сканирующим электронным пучком”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 170–176 [Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 97–101]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6448 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i1/p170
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 117 | PDF полного текста: | 57 | Первая страница: | 1 |
|