|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 4, страницы 745–750
(Mi qe6445)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Влияние дислокаций на характеристики лазерных экранов из CdS
В. И. Козловский, А. С. Насибов, П. В. Резников Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Исследована зависимость характеристик лазерного экрана из CdS при 80 K от плотности ростовых дислокаций в пределах 5·10 – 2·107 см–2 и механически введенных дислокаций с плотностью до 6·107 см–2. Показано, что влияние плотности дислокаций на характеристики лазерного экрана при больших уровнях возбуждения зависит от состояния оборванных связей и не зависит от типа дислокаций.
Поступила в редакцию: 06.07.1980
Образец цитирования:
В. И. Козловский, А. С. Насибов, П. В. Резников, “Влияние дислокаций на характеристики лазерных экранов из CdS”, Квантовая электроника, 8:4 (1981), 745–750 [Sov J Quantum Electron, 11:4 (1981), 450–453]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6445 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i4/p745
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 173 | PDF полного текста: | 78 |
|