|
Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 1, страницы 113–121
(Mi qe6426)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Фотоиндуцированное рассеяние света на флуктуациях фотоэлектрических параметров среды
В. В. Обуховский, А. В. Стоянов, В. В. Лемешко Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко
Аннотация:
Исследовано рассеяние света в фоторефрактивных средах. Показано, что основными причинами сильного фотоиндуцированного рассеяния света (ФИPC) являются мелкомасштабные (порядка длины световой волны) пространственные флуктуации фотогальванического коэффициента и параметров электропроводности и самопроизвольно образующиеся шумовые фазовые голограммы. Экспериментально установлено, что в кристаллах LiNbO3:Fe ведущую роль играют неоднородности электропроводности фотогальванического происхождения. Предложена простая модель таких неоднородностей, в рамках которой хорошо описываются особенности стационарной индикатрисы ФИРС при различных поляризациях накачки и рассеянного излучения.
Поступила в редакцию: 09.12.1985
Образец цитирования:
В. В. Обуховский, А. В. Стоянов, В. В. Лемешко, “Фотоиндуцированное рассеяние света на флуктуациях фотоэлектрических параметров среды”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 113–121 [Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 64–68]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6426 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i1/p113
|
|