Полупроводниковый лазер с электронной накачкой и световодным выходом

Осуществлена прямая стыковка активной области полупроводникового лазера с поперечной накачкой электронным пучком и многомодового световода с диаметром сердцевины 50 мкм. Для однородной, волноводной и трехслойной эпитаксиальных структур лазера на основе GaAs–GaAlAs получены соответственно мощности, введенные в световод, 34, 430 и 35 мВт и эффективности ввода 0,1; 0,3 и 0,06. Показано, что благодаря сужению диаграммы направленности и увеличению мощности лазера в схеме с внешним зеркалом возрастает спектральная и общая яркость лазера.