Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 10, страницы 1975–1983 (Mi qe6396)  
Эффект насыщения в многоуровневых лазерных средах

В. И. Львов, А. А. Степанов, В. А. Щеглов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
PDF полного текста (1269 kB)
Аннотация: Развит подход, позволяющий адекватно описывать эффект насыщения при резонансном взаимодействии многочастотного излучения с активной средой. Целесообразность подхода продемонстрирована на примерах многоуровневых сред с параллельными и каскадными переходами.
Поступила в редакцию: 14.10.1983
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, Volume 14, Issue 10, Pages 1326–1331
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1984v014n10ABEH006396
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.70.Hj, 42.55.-f


Образец цитирования: В. И. Львов, А. А. Степанов, В. А. Щеглов, “Эффект насыщения в многоуровневых лазерных средах”, Квантовая электроника, 11:10 (1984), 1975–1983 [Sov J Quantum Electron, 14:10 (1984), 1326–1331]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6396
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i10/p1975
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024