|
Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 3, страницы 652–655
(Mi qe6384)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Быстродействующий полупроводниковый бистабильный элемент
А. М. Бакиев, Ю. В. Вандышев, В. С. Днепровский, А. И. Фуртичев Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация:
Создан полупроводниковый бистабильный элемент из слоистого кристалла GaSe, имеющий времена переключения, не превышающие 2 ·10 –11 с. Малое время восстановления (выключения) бистабильного элемента, по-видимому, связано со стимулированным процессом рекомбинации в сильно возбужденном полупроводнике.
Поступила в редакцию: 16.07.1984
Образец цитирования:
А. М. Бакиев, Ю. В. Вандышев, В. С. Днепровский, А. И. Фуртичев, “Быстродействующий полупроводниковый бистабильный элемент”, Квантовая электроника, 12:3 (1985), 652–655 [Sov J Quantum Electron, 15:3 (1985), 430–432]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6384 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i3/p652
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 160 | PDF полного текста: | 67 | Первая страница: | 1 |
|