|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 3, страницы 656–660
(Mi qe6376)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Краткие сообщения
Люминесценция и стимулированное излучение монокристаллов BaGd2–xNdx(MoO4)4
Т. П. Балакиреваabc, Ч. М. Брискинаabc, Е. В. Васильевacb, В. В. Вакулюкabc, В. Ф. Золинabc, А. А. Майерabc, В. М. Маркушевabc, В. А. Мурашовabc, М. В. Провоторовabc a Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва
b Московский химико-технологический институт им. Д. И. Менделеева
c Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Аннотация:
Для кристаллов BaGd2–xNdx(MoO4)4 определена штарковская структура уровней 4F3/2, 4I11/2 и 4I9/2 Nd3+, исследовано концентрационное тушение люминесценции Nd3+, показано, что оно имеет кросс-релаксационный характер. Получены оценки параметров Офельта, измерено молярное поглощение в области возможной накачки Nd3+. Измерено эффективное сечение стимулированного излучения для наиболее интенсивной компоненты перехода 4F3/2→4I11/2 (λ = 1061нм). При x = 0,15 получено стимулированное излучение на образце монокристалла толщиной 1,2 мм с накачкой от импульсной лампы.
Поступила в редакцию: 07.08.1980
Образец цитирования:
Т. П. Балакирева, Ч. М. Брискина, Е. В. Васильев, В. В. Вакулюк, В. Ф. Золин, А. А. Майер, В. М. Маркушев, В. А. Мурашов, М. В. Провоторов, “Люминесценция и стимулированное излучение монокристаллов BaGd2–xNdx(MoO4)4”, Квантовая электроника, 8:3 (1981), 656–660 [Sov J Quantum Electron, 11:3 (1981), 398–400]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6376 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i3/p656
|
|