aИнститут радиотехники и электроники АН СССР, Москва bМосковский химико-технологический институт им. Д. И. Менделеева cМосковский институт радиотехники, электроники и автоматики
Аннотация:
Для кристаллов BaGd2–xNdx(MoO4)4 определена штарковская структура уровней 4F3/2, 4I11/2 и 4I9/2 Nd3+, исследовано концентрационное тушение люминесценции Nd3+, показано, что оно имеет кросс-релаксационный характер. Получены оценки параметров Офельта, измерено молярное поглощение в области возможной накачки Nd3+. Измерено эффективное сечение стимулированного излучения для наиболее интенсивной компоненты перехода 4F3/2→4I11/2 (λ = 1061нм). При x = 0,15 получено стимулированное излучение на образце монокристалла толщиной 1,2 мм с накачкой от импульсной лампы.
Образец цитирования:
Т. П. Балакирева, Ч. М. Брискина, Е. В. Васильев, В. В. Вакулюк, В. Ф. Золин, А. А. Майер, В. М. Маркушев, В. А. Мурашов, М. В. Провоторов, “Люминесценция и стимулированное излучение монокристаллов BaGd2–xNdx(MoO4)4”, Квантовая электроника, 8:3 (1981), 656–660 [Sov J Quantum Electron, 11:3 (1981), 398–400]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6376
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i3/p656
Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
Michael D. Kuz'min, Manuel Richter, Eur. Phys. J. Plus, 138:11 (2023)
Andrei V. Lebedev, Samvel A. Avanesov, Valeriy A. Klimenko, Lada V. Vasileva, Alaa Hammoud, Optical Materials, 103 (2020), 109901
Andrei V. Lebedev, Samvel A. Avanesov, Materials Letters, 161 (2015), 661
Lin Qin, Yanlin Huang, Taiju Tsuboi, Hyo Jin Seo, Materials Research Bulletin, 47:12 (2012), 4498