Переходный процесс в инжекционном лазере с неквазифермиевской функцией распределения электронов

Рассчитана реакция полупроводникового лазера на быстрые перепады тока инжекции. Учитывались отклонения функции распределения неравновесных носителей от квазифермиевской формы, которые характеризуются эффективным временем релаксации τ_эф, определяемым скоростями внутризонной релаксации и затухания поляризации. Показано, что при типичных параметрах гетеролазера вид его переходной характеристики радикально изменяется (от глубоких релаксационных пульсаций до практически безынерционного повторения тока инжекции) с изменением τ_эф от 10^–13 до 10^–12 с.