Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 3, страницы 495–503 (Mi qe6303)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

О предельных коэффициентах усиления стекол, активированных ионами Yb3+ и Er3+, при лазерной накачке

А. Г. Мурзин, В. А. Фромзель
Аннотация: Теоретически проанализированы основные факторы, определяющие предельно достижимые значения коэффициентов усиления в стеклах, активированных ионами Yb3+ и Er3+, при лазерной накачке (переход 4I13/24I15/2 ионов Er3+). Показано, что спектроскопические и генерационные параметры стекол в принципе позволяют получить усиления в среде до 0,8–1 см–1, причем основным ограничивающим фактором является суперлюминесценция. Экспериментально измерены коэффициенты усиления коротких импульсов в стеклах фосфатной основы, активированных ионами Yb3+ и Er3+, при максимально возможных уровнях накачки, и проведено сравнение с результатами теоретического анализа.
Поступила в редакцию: 03.04.1980
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, Volume 11, Issue 3, Pages 304–308
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1981v011n03ABEH006303
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.535
PACS: 42.55.Rz


Образец цитирования: А. Г. Мурзин, В. А. Фромзель, “О предельных коэффициентах усиления стекол, активированных ионами Yb3+ и Er3+, при лазерной накачке”, Квантовая электроника, 8:3 (1981), 495–503 [Sov J Quantum Electron, 11:3 (1981), 304–308]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6303
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i3/p495
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:108
    PDF полного текста:71
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024