Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 3, страницы 484–489 (Mi qe6301)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Особенности генерации термообработанных активных элементов

В. М. Митькин
PDF полного текста (1089 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Рассмотрены особенности возникновения генерации в термообработанных активных элементах (ТАЭ) из стекла. Показано, что ТАЭ увеличивают среднюю мощность генерации лазера на стекле с сохранением высокой яркости излучения и обеспечивают равномерность излучения по сечению пучка в лазере периодического действия с электрооптическим модулятором добротности.
Поступила в редакцию: 12.03.1980
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, Volume 11, Issue 3, Pages 297–301
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1981v011n03ABEH006301
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.8
PACS: 42.55.Rz


Образец цитирования: В. М. Митькин, “Особенности генерации термообработанных активных элементов”, Квантовая электроника, 8:3 (1981), 484–489 [Sov J Quantum Electron, 11:3 (1981), 297–301]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6301
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i3/p484
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024