Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 12, страницы 2465–2475 (Mi qe6297)  

Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства p–n-структур на основе InP, AlSb, GaP

Я. Агаев, О. Газаков

Физико-технический институт АН ТССР, Ашхабад
Аннотация: Исследованы МОП-структуры на основе n- и p-InP и МДП-структуры на основе n-InP и n-GaP. Оценены их некоторые параметры: коэффициент идеальности, высота барьера, плотность зарядов, толщина окисла, напряженность электрического поля и др. Показано, что в структурах Au–n-InР при оптимальной толщине окисного слоя ~2,2–2,3 нм КПД увеличивается на 5–6 % по сравнению с обычными структурами на основе InP. На p-lnP и n-AlSb структурах получен КПД ~10–14 %.
Поступила в редакцию: 18.06.1982
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 12, Pages 1609–1616
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n12ABEH006297
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.382.2:621.317.6
PACS: 73.40.Qv


Образец цитирования: Я. Агаев, О. Газаков, “Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства p–n-структур на основе InP, AlSb, GaP”, Квантовая электроника, 9:12 (1982), 2465–2475 [Sov J Quantum Electron, 12:12 (1982), 1609–1616]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6297
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i12/p2465
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024