|
Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 12, страницы 2402–2406
(Mi qe6284)
|
|
|
|
Получение и исследование гетеролазеров на основе GalnPAs/lnP
Д. Ахмедов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР
Аннотация:
Приведены методические особенности изготовления гетеролазеров на основе GalnPAs/lnP на длину волны ~1550 нм и результаты исследования пороговых, спектральных и других характеристик гетеролазеров в диапазоне 1000–1590 нм. Приведена корреляция пороговых характеристик с энергией фотона для гетеролазеров на основе GalnPAs/lnP. По спектру излучения и данным рентгеновского микроанализа установлено, что у границ гетеропереходов GaxIn1–xP1–yAsy/InP (x = 0,09, y = 0,2) имеется переходной слой переменного состава, существенно влияющий на пороговые плотности тока.
Поступила в редакцию: 16.07.1982
Образец цитирования:
Д. Ахмедов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Получение и исследование гетеролазеров на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 9:12 (1982), 2402–2406 [Sov J Quantum Electron, 12:12 (1982), 1568–1570]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6284 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i12/p2402
|
|