Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 4, страницы 712–723 (Mi qe6219)  

Особенности формирования сигнального импульса в поле короткого мощного импульса накачки при двойном резонансе в схеме с общим верхним уровнем

А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков

Саратовский политехнический институт
Аннотация: Теоретически исследован существенно нестационарный режим двойного резонанса, возбуждаемый по схеме с общим верхним уровнем в поле 2π-импульса накачки и постоянного сигнального излучения малой интенсивности. Получены условия формирования экспоненциально усиливающегося сигнального импульса асимптотически постоянной формы, движущегося со скоростью импульса накачки. Исследована связь параметров сигнального импульса с параметрами среды и накачки. Обнаружено, что конкуренция локальной и волновой нестационарностей обусловливает появление зависящей от расстроек резонанса в каналах оптимальной энергии импульса накачки, превышение которой снижает энергию выходного сигнального импульса. Установлено, что в случае неравенства начальных расстроек формирование сигнального импульса сопровождается затягиванием сигнальной частоты к значению, удовлетворяющему условию равенства расстроек. На ранних стадиях формирования сигнального импульса это приводит к разбиению его на цуг субимпульсов, более коротких, чем импульс накачки.
Поступила в редакцию: 02.01.1985
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 4, Pages 464–471
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n04ABEH006219
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 42.65.Ky, 42.65.Dr, 32.80.Bx, 42.65.Re


Образец цитирования: А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков, “Особенности формирования сигнального импульса в поле короткого мощного импульса накачки при двойном резонансе в схеме с общим верхним уровнем”, Квантовая электроника, 13:4 (1986), 712–723 [Sov J Quantum Electron, 16:4 (1986), 464–471]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6219
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i4/p712
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:101
    PDF полного текста:60
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024