|
Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 4, страницы 712–723
(Mi qe6219)
|
|
|
|
Особенности формирования сигнального импульса в поле короткого мощного импульса накачки при двойном резонансе в схеме с общим верхним уровнем
А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков Саратовский политехнический институт
Аннотация:
Теоретически исследован существенно нестационарный режим двойного резонанса, возбуждаемый по схеме с общим верхним уровнем в поле 2π-импульса накачки и постоянного сигнального излучения малой интенсивности. Получены условия формирования экспоненциально усиливающегося сигнального импульса асимптотически постоянной формы, движущегося со скоростью импульса накачки. Исследована связь параметров сигнального импульса с параметрами среды и накачки. Обнаружено, что конкуренция локальной и волновой нестационарностей обусловливает появление зависящей от расстроек резонанса в каналах оптимальной энергии импульса накачки, превышение которой снижает энергию выходного сигнального импульса. Установлено, что в случае неравенства начальных расстроек формирование сигнального импульса сопровождается затягиванием сигнальной частоты к значению, удовлетворяющему условию равенства расстроек. На ранних стадиях формирования сигнального импульса это приводит к разбиению его на цуг субимпульсов, более коротких, чем импульс накачки.
Поступила в редакцию: 02.01.1985
Образец цитирования:
А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков, “Особенности формирования сигнального импульса в поле короткого мощного импульса накачки при двойном резонансе в схеме с общим верхним уровнем”, Квантовая электроника, 13:4 (1986), 712–723 [Sov J Quantum Electron, 16:4 (1986), 464–471]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6219 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i4/p712
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 101 | PDF полного текста: | 60 | Первая страница: | 1 |
|