|
Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 11, страницы 2211–2216
(Mi qe6136)
|
|
|
|
Исследование непрерывного режима генерации в лазере на основе GaAs с накачкой электронным пучком
В. И. Козловский, А. С. Насибов, П. В. Резников Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Представлены экспериментальные результаты исследований зависимости мощностных и пороговых характеристик непрерывного GaAs-лазера с электронной накачкой от концентрации и типа легирующей примеси, толщины полупроводниковой пластинки, коэффициента отражения зеркальных покрытий, диаметра
электронного пучка и температуры криостата. Достигнута мощность излучения 20 мВт с расходимостью менее 10° и шириной спектра не более 1 нм.
Поступила в редакцию: 18.12.1981
Образец цитирования:
В. И. Козловский, А. С. Насибов, П. В. Резников, “Исследование непрерывного режима генерации в лазере на основе GaAs с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 9:11 (1982), 2211–2216 [Sov J Quantum Electron, 12:11 (1982), 1437–1440]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6136 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i11/p2211
|
|