Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 2, страницы 289–293 (Mi qe6115)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Усиление света на переходах Н-ионов в низкотемпературной плазме

А. В. Боровский, В. В. Коробкин, Ч. К. Мухтаров

Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация: Рассмотрена аналитическая теория рекомбинационной накачки Н-ионов в низкотемпературной плазме. Получена простая формула для коэффициента усиления. Развитая теория дает возможность провести анализ коэффициентов усиления в наиболее интересной для приложений области низких температур плазмы.
Поступила в редакцию: 11.03.1984
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, Volume 15, Issue 2, Pages 185–188
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1985v015n02ABEH006115
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:533.9
PACS: 42.50.Gy, 32.80.Bx, 52.70.Kz


Образец цитирования: А. В. Боровский, В. В. Коробкин, Ч. К. Мухтаров, “Усиление света на переходах Н-ионов в низкотемпературной плазме”, Квантовая электроника, 12:2 (1985), 289–293 [Sov J Quantum Electron, 15:2 (1985), 185–188]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6115
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i2/p289
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:97
    PDF полного текста:56
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024