|
Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 9, страницы 1750–1756
(Mi qe6107)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Об эффективности XeF-лазера с оптической накачкой
В. С. Зуев, Л. Д. Михеев, Д. Б. Ставровский Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Экспериментально исследованы характеристики фотодиссоционного лазера, работающего на переходах B–X (353 нм) и C–A (485 нм) эксимера XeF. Накачка лазера осуществлялась ВУФ излучением открытого сильноточного разряда. Энергия в импульсе генерации и средний удельный энергосъем достигали: на 353 нм – 28 Дж и 18 Дж/л, на 485 нм – 14,5 Дж и 10 Дж/л. Измерялся мгновенный
КПД генерации, определяемый как отношение мощности генерации к электрической мощности, вкладываемой в источник накачки. В максимуме импульса генерации КПД достигал 0,8 % на 353 нм и 1 % на 485 нм (с поправкой
на геометрический фактор использования излучения источника накачки) .Установлено, что эффективность источника накачки составляет 7,5–8,5% и средний по полосе накачки квантовый выход образования
ХеF(В) равен 85 ± 5 %. Обсуждены пути увеличения КПД лазера до ~2%.
Поступила в редакцию: 13.02.1984
Образец цитирования:
В. С. Зуев, Л. Д. Михеев, Д. Б. Ставровский, “Об эффективности XeF-лазера с оптической накачкой”, Квантовая электроника, 11:9 (1984), 1750–1756 [Sov J Quantum Electron, 14:9 (1984), 1174–1178]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe6107 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i9/p1750
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 144 | PDF полного текста: | 77 | Первая страница: | 1 |
|