Об эффективности XeF-лазера с оптической накачкой

Экспериментально исследованы характеристики фотодиссоционного лазера, работающего на переходах B–X (353 нм) и C–A (485 нм) эксимера XeF. Накачка лазера осуществлялась ВУФ излучением открытого сильноточного разряда. Энергия в импульсе генерации и средний удельный энергосъем достигали: на 353 нм – 28 Дж и 18 Дж/л, на 485 нм – 14,5 Дж и 10 Дж/л. Измерялся мгновенный КПД генерации, определяемый как отношение мощности генерации к электрической мощности, вкладываемой в источник накачки. В максимуме импульса генерации КПД достигал 0,8 % на 353 нм и 1 % на 485 нм (с поправкой на геометрический фактор использования излучения источника накачки) .Установлено, что эффективность источника накачки составляет 7,5–8,5% и средний по полосе накачки квантовый выход образования ХеF(В) равен 85 ± 5 %. Обсуждены пути увеличения КПД лазера до ~2%.