Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 2, страницы 248–258 (Mi qe6098)  

О возможности получения инверсии в УФ области при оптической накачке

Н. Г. Басов, Г. А. Вергунова, В. Б. Розанов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Изучается возможность получения инверсии на переходе 1s2p3P→1s2 в Не-подобных ионах элементов с z = 6–15. Ионы в верхнем состоянии 1s2p3P накапливаются при оптической накачке рабочей среды, содержащей Li-подобные ионы, излучением лазерной плазмы с дальнейшим самопроизвольным переходом в основное состояние. Длина волны перехода составляет 0,6–4,1 нм, коэффициент усиления 10–2 см–1. Исследуется возможность увеличения коэффициента усиления путем сжатия активной среды.
Поступила в редакцию: 18.07.1984
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, Volume 15, Issue 2, Pages 161–168
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1985v015n02ABEH006098
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 32.80.Bx, 32.80.Fb


Образец цитирования: Н. Г. Басов, Г. А. Вергунова, В. Б. Розанов, “О возможности получения инверсии в УФ области при оптической накачке”, Квантовая электроника, 12:2 (1985), 248–258 [Sov J Quantum Electron, 15:2 (1985), 161–168]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6098
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i2/p248
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024