Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 3, страницы 647–650 (Mi qe6089)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Краткие сообщения

Влияние безызлучательной релаксации на уровнях лазерного перехода ионов Nd$^{3+}$ в стекле на усиление мощных наносекундных импульсов

В. В. Иванов, Ю. В. Сенатский, Г. В. Склизков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
PDF полного текста (738 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Показано, что быстрая термализация со временем $\tau_T\lesssim1$ пс по штарковским компонентам уровней рабочего перехода 1,06 мкм ионов Nd$^{3+}$ в стекле обусловливает высокую эффективность усиления импульсов длительностью 1–100 нс в мощных неодимовых лазерных системах.
Поступила в редакцию: 02.07.1985
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 3, Pages 422–424
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n03ABEH006089
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.2
PACS: 42.55.Rz, 42.65.Re, 42.60.Jf, 42.70.Hj, 42.70.Ce
Образец цитирования: В. В. Иванов, Ю. В. Сенатский, Г. В. Склизков, “Влияние безызлучательной релаксации на уровнях лазерного перехода ионов Nd$^{3+}$ в стекле на усиление мощных наносекундных импульсов”, Квантовая электроника, 13:3 (1986), 647–650 [Sov J Quantum Electron, 16:3 (1986), 422–424]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaSenSkl86}
\by В.~В.~Иванов, Ю.~В.~Сенатский, Г.~В.~Склизков
\paper Влияние безызлучательной релаксации на уровнях лазерного перехода
ионов Nd$^{3+}$ в стекле на усиление мощных наносекундных импульсов
\jour Квантовая электроника
\yr 1986
\vol 13
\issue 3
\pages 647--650
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe6089}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1986
\vol 16
\issue 3
\pages 422--424
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1986v016n03ABEH006089}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1986A838400031}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6089
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i3/p647
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:124
    PDF полного текста:70
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024