Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 10, страницы 1955–1959 (Mi qe6036)  

К анализу процесса многоступенчатой диссоциации многоатомных молекул

В. М. Акулин, Н. В. Карлов, A. М. Прохоров

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: На основе простых моделей исследуются закономерности поведения молекул вблизи диссоционной границы под действием мощного лазерного излучения. Показано, что для некоторых молекул могут наблюдаться аномальные зависимости вероятности диссоциации от интенсивности лазерного излучения.
Поступила в редакцию: 22.12.1981
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 10, Pages 1274–1276
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n10ABEH006036
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 82.50.Et


Образец цитирования: В. М. Акулин, Н. В. Карлов, A. М. Прохоров, “К анализу процесса многоступенчатой диссоциации многоатомных молекул”, Квантовая электроника, 9:10 (1982), 1955–1959 [Sov J Quantum Electron, 12:10 (1982), 1274–1276]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6036
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i10/p1955
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:246
    PDF полного текста:86
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024