В. К. Батоврин, И. А. Гармаш, В. М. Геликонов, Г. В. Геликонов, А. В. Любарский, А. Г. Плявенек, С. А. Сафин, А. Т. Семенов, В. Р. Шидловский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Cуперлюминесцентные диоды на основе однослойных квантоворазмерных (GaAl)As-гетероструктур”, Квантовая электроника, 23:2 (1996), 113–118 [Quantum Electron., 26:2 (1996), 109

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 2, страницы 113–118 (Mi qe603)

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Лазеры

Cуперлюминесцентные диоды на основе однослойных квантоворазмерных (GaAl)As-гетероструктур

В. К. Батоврин^ab, И. А. Гармаш^c, В. М. Геликонов^d, Г. В. Геликонов^d, А. В. Любарский^ab, А. Г. Плявенек^ba, С. А. Сафин^c, А. Т. Семенов^c, В. Р. Шидловский^c, М. В. Шраменко^ab, С. Д. Якубович^a

^a Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
^b Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, г. Москва
^c ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
^d Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

PDF полного текста (239 kB) Список цитирования (16)

Аннотация: Проведено теоретическое и экспериментальное исследование мощностных, спектральных и поляризационных характеристик суперлюминесцентных диодов (СЛД) на основе (GaAl)As-гетероструктур с раздельным ограничением и квантоворазмерным активным слоем. Показано, что такие излучатели не уступают СЛД на основе традиционных двусторонних гетероструктур по основным техническим характеристикам и значительно превосходят их по ширине спектра излучения, достигающего полуширины порядка 100 нм, что соответствует длине когерентности менее 7 мкм. Изготовлены образцы светоизлучающих модулей на основе исследованных СЛД.

Поступила в редакцию: 01.01.1996

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1996, Volume 26, Issue 2, Pages 109–114
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1996v026n02ABEH000603

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb

Образец цитирования: В. К. Батоврин, И. А. Гармаш, В. М. Геликонов, Г. В. Геликонов, А. В. Любарский, А. Г. Плявенек, С. А. Сафин, А. Т. Семенов, В. Р. Шидловский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Cуперлюминесцентные диоды на основе однослойных квантоворазмерных (GaAl)As-гетероструктур”, Квантовая электроника, 23:2 (1996), 113–118 [Quantum Electron., 26:2 (1996), 109–114]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe603

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i2/p113

Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы