Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 9, страницы 1912–1915 (Mi qe6020)  

Краткие сообщения

Влияние параметров оптической обработки и процесса естественного старения на глубину нарушенного слоя и лучевую прочность поверхности монокристаллов КСl

С. В. Билибин, В. Н. Егоров, А. А. Кацнельсон, В. И. Ковалев, Н. С. Колесова, Ю. С. Сидоров, Н. Л. Ткаченко, Ф. С. Файзуллов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Исследовано влияние размеров зерна абразива и типа смачивающе-охлаждающей жидкости на стадии шлифовки, отжига и процесса естественного старения полированной поверхности монокристаллов КСl на глубину нарушенного слоя и поверхностную лучевую прочность. Показано, что применение методов оптической обработки, обеспечивающих минимальную глубину нарушенного слоя (например, отжиг), позволяет значительно повысить лучевую прочность по сравнению с традиционными методами обработки как свежеполированных, так и состаренных поверхностей.
Поступила в редакцию: 23.08.1981
Исправленный вариант: 30.11.1981
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 9, Pages 1245–1247
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n09ABEH006020
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.32
PACS: 81.60.-j, 81.40.Ef, 81.40.Tv


Образец цитирования: С. В. Билибин, В. Н. Егоров, А. А. Кацнельсон, В. И. Ковалев, Н. С. Колесова, Ю. С. Сидоров, Н. Л. Ткаченко, Ф. С. Файзуллов, “Влияние параметров оптической обработки и процесса естественного старения на глубину нарушенного слоя и лучевую прочность поверхности монокристаллов КСl”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1912–1915 [Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1245–1247]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6020
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i9/p1912
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:121
    PDF полного текста:64
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024