Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 9, страницы 1902–1904 (Mi qe6015)  

Краткие сообщения

О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP

Л. М. Долгинов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко

Физический институт им. П. H. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Изучено влияние температуры на порог генерации и наклон ватт-амперной характеристики инжекционных лазеров в диапазоне длин волн 0,96–1,33 мкм (интервал температур 100–355 K). Значение константы T0 температурной зависимости порога увеличивается с ростом скачка ширины запрещенной зоны Δ E в гетеропереходе при Δ E ≤ 0,2–0,3 эВ, при бóльших Δ E рост T0 не наблюдается, причем высокотемпературное значение T0 составляет в среднем около 60 K. Сравнение температурных зависимостей порога и дифференциальной эффективности приводит к выводу, что преобладающим фактором роста порога является безызлучательная рекомбинация; наряду с этим рост оптического поглощения приводит к температурному уменьшению наклона ватт-амперной характеристики.
Поступила в редакцию: 06.11.1981
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 9, Pages 1237–1238
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n09ABEH006015
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px, 42.60.He


Образец цитирования: Л. М. Долгинов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, “О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1902–1904 [Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1237–1238]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6015
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i9/p1902
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025