Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 9, страницы 1876–1878 (Mi qe6003)  

Краткие сообщения

Перестроечные характеристики многоступенчатого процесса ВКР на поляритонах в слое кристалла LiJO3

A. H. Щелоков
Аннотация: Показана возможность использования многоступенчатых процессов для повышения эффективности преобразования света при вынужденном рассеянии на поляритонах в слое нелинейного кристалла. Приведены перестроечные характеристики рассеяния на нижней поляритонной ветви кристалла йодата лития вплоть до десяти ступеней преобразования излучения накачки с длиной волны 1,064 мкм.
Поступила в редакцию: 07.12.1981
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 9, Pages 1216–1217
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n09ABEH006003
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.3.525:535.18
PACS: 71.36.+c, 42.65.Cq


Образец цитирования: A. H. Щелоков, “Перестроечные характеристики многоступенчатого процесса ВКР на поляритонах в слое кристалла LiJO3”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1876–1878 [Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1216–1217]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6003
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i9/p1876
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:120
    PDF полного текста:59
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024