Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 9, страницы 1856–1858 (Mi qe5994)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Об инверсии литиеподобных ионов относительно состояния 2p в рекомбинирующей плазме

Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, С. И. Яковленко

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Рассмотрены требования к интенсивности накачивающего жесткого излучения, возникающие при попытках сформировать инверсную населенность относительно состояния 2p многозарядного литиеподобного иона. Показано, что эти требования очень жесткие.
Поступила в редакцию: 15.03.1982
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 9, Pages 1199–1201
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n09ABEH005994
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 533.9
PACS: 32.80.Bx


Образец цитирования: Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, С. И. Яковленко, “Об инверсии литиеподобных ионов относительно состояния 2p в рекомбинирующей плазме”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1856–1858 [Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1199–1201]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5994
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i9/p1856
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024