Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 3, страницы 538–543 (Mi qe5991)  

Характеристики интенсивности мод и оптической бистабильности в лазерах с насыщающимся поглотителем. II. Многомодовый режим

Динь Ван Хоанг, Фан Нго Ха

Ханойский университет, СРВ
Аннотация: Рассмотрены характеристики интенсивности мод и условие возникновения oптической бистабильности при многомодовом режиме работы кольцевого лазера с насыщающимся поглотителем. Показано, что условие возникновения оптической бистабильности является общим для одномодовых и многомодовых лазеров с насыщающимся поглотителем. Интервал оптической бистабильности трансформируется при изменениях однородного и неоднородного уширений, разницы коэффициентов верхних энергетических уровней в усиливающей и поглощающей частях лазера, скоростей накачки этих частей.
Поступила в редакцию: 11.09.1985
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 3, Pages 351–354
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n03ABEH005991
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.65.Pc, 42.50.Gy, 42.60.Da, 42.60.Jf


Образец цитирования: Динь Ван Хоанг, Фан Нго Ха, “Характеристики интенсивности мод и оптической бистабильности в лазерах с насыщающимся поглотителем. II. Многомодовый режим”, Квантовая электроника, 13:3 (1986), 538–543 [Sov J Quantum Electron, 16:3 (1986), 351–354]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5991
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i3/p538
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:118
    PDF полного текста:65
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024