Аннотация:
С использованием импульсного TEA СО2-лазера исследовано влияние параметров излучения накачки
(модовый состав, длина волны, длительность импульса), условий фокусировки, свойств материала (коэффициент
поглощения) и условий эксплуатации (температура) на эффективность преобразования во вторую гармонику и на угловые зависимости фазового синхронизма в кристаллах ZnGeP2. Получено хорошее согласие экспериментальных результатов с расчетными.
Образец цитирования:
Ю. М. Андреев, А. Н. Быканов, А. И. Грибенюков, В. В. Зуев, В. Д. Карышев, А. В. Кислецов, И. О. Ковалев, В. И. Конов, Г. П. Кузьмин, А. А. Нестеренко, А. Е. Осоргин, Ю. М. Стародумов, Н. И. Чаплиёв, “Преобразование импульсного лазерного излучения диапазона 9,3 – 9,6 мкм во вторую гармонику в кристаллах ZnGeP2”, Квантовая электроника, 17:4 (1990), 476–480 [Sov J Quantum Electron, 20:4 (1990), 410–414]