Спектр генерации на самонасыщающихся переходах в высококонцентрированных средах

На кристаллах Y₃Al₅O₁₂:Er³⁺ реализованы различные случаи формирования инверсной населенности между уровнями ⁴I_11/2 и ⁴I_13/2. Показано, что в случае, когда более вероятны безызлучательные переходы с верхних уровней на лазерные по механизму многофононного переноса энергии, генерация осуществляется на переходах между штарковскими компонентами уровней ⁴I_11/2; ⁴I_13/2 с наибольшими силами осцилляторов. Если более вероятны безызлучательные переходы, обусловленные ион-ионным взаимодействием, в спектрах генерации наблюдается «красное смещение».