|
Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 1, страницы 73–75
(Mi qe592)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма
Импульсное лазерное напыление тонких пленок InxGa1–xAs
В. Н. Буримов, А. Н. Жерихин, В. Л. Попков Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам РАН, г. Троицк
Аннотация:
Исследовано скоростное распределение капель и атомной составляющей плазменного факела, возникающего при лазерной абляции полупроводниковых мишеней из InAs и GaAs. Показано, что скорость атомов по крайней мере в 6 раз выше скорости капель. Предложен механический фильтр скоростей для удаления капель из плазменного факела. Показано, что при использовании составной мишени возможно получение эпитаксиальных пленок InxGa1–xAs различного состава.
Поступила в редакцию: 01.01.1996
Образец цитирования:
В. Н. Буримов, А. Н. Жерихин, В. Л. Попков, “Импульсное лазерное напыление тонких пленок InxGa1–xAs”, Квантовая электроника, 23:1 (1996), 73–75 [Quantum Electron., 26:1 (1996), 71–73]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe592 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i1/p73
|
|