Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 2, страницы 433–435 (Mi qe5913)  

Краткие сообщения

Релаксационные процессы в структуре брегговского модулятора на ниобате лития

А. М. Белин, К. К. Свидзинский
Аннотация: Исследованы эффекты диэлектрической релаксации в структуре управляемого интегрально-оптического брегговского модулятора, приводящие к появлению низкочастотной границы полосы пропускания. Стационарная релаксация, обусловленная в основном ионной проводимостью сильно легированного титаном приповерхностного волноводного слоя, характеризуется временем τ ~10–1 – 10–2 с. Нестационарные релаксационные явления могут приводить к большим вариациям времени релаксации в пределах 103 – 10–4 с. Обсуждаются возможные механизмы нестационарной релаксации.
Поступила в редакцию: 16.09.1980
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, Volume 11, Issue 2, Pages 266–268
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1981v011n02ABEH005913
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.382.82.082.5
PACS: 42.80.Ks


Образец цитирования: А. М. Белин, К. К. Свидзинский, “Релаксационные процессы в структуре брегговского модулятора на ниобате лития”, Квантовая электроника, 8:2 (1981), 433–435 [Sov J Quantum Electron, 11:2 (1981), 266–268]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5913
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i2/p433
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024