Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 2, страницы 430–433 (Mi qe5912)  

Краткие сообщения

Инжекционные лазеры на PbSnTe, полученные диффузией Sb

А. Л. Курбатов, М. В. Шубин, П. М. Старик, В. М. Маловецкая, А. Д. Бритов, Н. Д. Полчкова
Аннотация: Методом диффузии донорной примеси изготовлены лазерные диоды на основе PbSnTe (x =0,18–0,24), работающие в непрерывном режиме при 10 K. Исследовался спектр излучения лазеров и его зависимость от температуры и тока инжекции. Проведен ряд опытов по спектроскопии высокого разрешения с помощью полученных лазеров.
Поступила в редакцию: 22.06.1980
Исправленный вариант: 05.09.1980
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, Volume 11, Issue 2, Pages 264–266
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1981v011n02ABEH005912
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.375.826
PACS: 42.55.Px


Образец цитирования: А. Л. Курбатов, М. В. Шубин, П. М. Старик, В. М. Маловецкая, А. Д. Бритов, Н. Д. Полчкова, “Инжекционные лазеры на PbSnTe, полученные диффузией Sb”, Квантовая электроника, 8:2 (1981), 430–433 [Sov J Quantum Electron, 11:2 (1981), 264–266]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5912
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i2/p430
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024