Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 1, страницы 10–21 (Mi qe5833)  

Влияние столкновений атомов со стенками накопительной колбы на частоту водородного мазера

В. А. Алексеев, И. И. Собельман

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Исследована форма контура усиления мазера, работающего на переходах между сверхтонкими компонентами атомов водорода в условиях накопительной колбы. Показано, что на уровне стабильности частоты ~10–15 проявляются отступления формы контура усиления от лоренцевой, приводящие к зависимости воспроизводимой мазером частоты перехода от формы колбы и конфигурации поля в резонаторе.
Поступила в редакцию: 13.07.1984
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, Volume 15, Issue 1, Pages 3–10
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1985v015n01ABEH005833
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.375.8
PACS: 34.50.Dy


Образец цитирования: В. А. Алексеев, И. И. Собельман, “Влияние столкновений атомов со стенками накопительной колбы на частоту водородного мазера”, Квантовая электроника, 12:1 (1985), 10–21 [Sov J Quantum Electron, 15:1 (1985), 3–10]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5833
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v12/i1/p10
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024