Эффективные перестраиваемые лазеры на основе кристаллов LiF:$F_2^-$

В результате оптимизации технологии изготовления активных элементов лазеров на кристаллах LiF с $F_2^-$-центрами окраски (ЦО) получены высокие параметры широкополосной генерации света $F_2^-$-ЦО в неселективном резонаторе при накачке лазером на YAG : Nd$^{3+}$ ($\lambda_\text{н}$ = 1,064 мкм). КПД по накачке составил 25 %, по поглощенной энергии – 32 %, дифференциальный КПД 50 %. Полоса генерации имела максимум на $\lambda$ = 1,17 мкм при полуширине $\Delta\lambda>1000$ см$^{-1}$. Получено вынужденное излучение $F_2^-$-ЦО в режиме свободной генерации лазера накачки (гладкий импульс) с КПД по накачке 0,5 %. Реализован эффективный лазер на LiF : $F_2^-$ со спектрально узкой ($<0,05$ нм) и плавно перестраиваемой в диапазоне 1,09–1,23 мкм линией излучения. КПД в максимуме перестроечной кривой ($\lambda$ = 1,17 мкм) составил 10 % по падающей на кристалл энергии и 12 % по поглощенной энергии при дифференциальном КПД 23 %. Рабочая температура активных элементов лазера комнатная, частота повторения импульсов генерации до 100 Гц.