|
Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 8, страницы 1708–1710
(Mi qe5803)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Влияние диффузии на насыщение усиления в газовых активных средах
А. И. Одинцов, В. А. Спажакин Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация:
Проанализировано влияние диффузии возбужденных частиц в активной среде на характеристики насыщения усиления и выходную мощность газовых лазеров. Показано, что диффузия приводит к увеличению эффективной зоны взаимодействия активной среды с полем излучения. С хорошей точностью влияние диффузии на
насыщение усиления можно учесть введением эффективного параметра насыщения, который определяется как характеристиками среды, так и геометрией системы. При более детальном рассмотрении надо учитывать искажение характеристик насыщения, которое наиболее заметно в том случае, когда «длина диффузии» сравнима с поперечным размером светового пучка. Вычисленные на основе полученных соотношений значения параметра насыщения согласуются с имеющимися экспериментальными результатами.
Поступила в редакцию: 22.10.1981
Образец цитирования:
А. И. Одинцов, В. А. Спажакин, “Влияние диффузии на насыщение усиления в газовых активных средах”, Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1708–1710 [Sov J Quantum Electron, 12:8 (1982), 1096–1098]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5803 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i8/p1708
|
|