Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 8, страницы 1708–1710 (Mi qe5803)  

Краткие сообщения

Влияние диффузии на насыщение усиления в газовых активных средах

А. И. Одинцов, В. А. Спажакин

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Проанализировано влияние диффузии возбужденных частиц в активной среде на характеристики насыщения усиления и выходную мощность газовых лазеров. Показано, что диффузия приводит к увеличению эффективной зоны взаимодействия активной среды с полем излучения. С хорошей точностью влияние диффузии на насыщение усиления можно учесть введением эффективного параметра насыщения, который определяется как характеристиками среды, так и геометрией системы. При более детальном рассмотрении надо учитывать искажение характеристик насыщения, которое наиболее заметно в том случае, когда «длина диффузии» сравнима с поперечным размером светового пучка. Вычисленные на основе полученных соотношений значения параметра насыщения согласуются с имеющимися экспериментальными результатами.
Поступила в редакцию: 22.10.1981
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 8, Pages 1096–1098
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n08ABEH005803
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.375.826
PACS: 42.55.Hq


Образец цитирования: А. И. Одинцов, В. А. Спажакин, “Влияние диффузии на насыщение усиления в газовых активных средах”, Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1708–1710 [Sov J Quantum Electron, 12:8 (1982), 1096–1098]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5803
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i8/p1708
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:97
    PDF полного текста:44
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024