Перестраиваемый лазер на кристаллах LiF(F2) с повышенным ресурсом работы

Предложены и реализованы схемы лазера на F₂ ЦО в кристаллах LiF с повышенным ресурсом работы, включающие в себя процессы фотовосстановления F₂⁺ и F₂^– ЦО до нейтральных центров. Созданы активные элементы на LiF (F₂) с низкими порогами генерации < 0,01 Дж/см². Исследованы кинетики генерации F₂ ЦО в LiF. Установлен двухступенчатый характер процесса фотоионизации F₂ ЦО в LiF под действием излучения накачки 0,53 мкм. Реализован перестраиваемый в области 0,65–0,74 мкм лазер на LiF (F₂) с эффективностью 4 %, шириной линии <2см^–1 и ресурсом работы 10⁴–10⁵ импульсов на одном канале генерации.