Механизм ступенчатой сенсибилизации лазерных 4F9/2→4I11/2 и 4F9/2→4I13/2-переходов иона Er3+ в кристалле BaYb2F8

Предложена новая методика определения механизма антистоксова заселения люминесцирующих уровней активатора в редкоземельных кристаллах. Исследованы зависимости абсолютных населенностей ⁴I_13/2-, ⁴I_11/2-, ⁴F_9/2-, ⁴S_3/2-, H_9/2-, ⁴G_11/2-, ²P_3/2-уровней Er³⁺ в кристалле BaYb₂F₈ от энергии, поглощенной в полосе сенсибилизатора Yb³⁺. Определены механизмы антистоксова заселения ⁴I_13/2-, ⁴F_9/2-, ⁴S_3/2-, ²H_9/2-состояний Er³⁺ в условиях слабой (1мДж/см³) и сильной (~10 Дж/см³) накачек.