|
Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 8, страницы 1576–1581
(Mi qe5765)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Определение вероятности релаксации населенности уровня 4I11/2 ионов неодима по сбросу люминесценции в малом внешнем образце
В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, В. М. Маркушев Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва
Аннотация:
Предлагается усовершенствованный метод измерения вероятности релаксации населенности уровня 4I11/2 ионов неодима W21. Связь W21, величины сброса и параметров сбрасывающего импульса получена из решения кинетических уравнений для населенностей с учетом штарковской структуры энергетических уровней
4F3/2 и 4I11/2. При T=300K получены значения W21=108 с–1 ( Y3Al5O12:Nd3+) и
W21=1,5·108 с–1 (La2O2S:Nd3+). Для кристалла Ba Gd2-xNdx(MoO4)4 при 77 K W21=2,5·108 с–1. Показано, что влияние W21 на эффективность использования запасенной энергии зависит от энергетического зазора между нижним штарковским подуровнем уровня 4I11/2 и подуровнем, являющимся конечным для вынужденных переходов.
Поступила в редакцию: 28.07.1981
Образец цитирования:
В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, В. М. Маркушев, “Определение вероятности релаксации населенности уровня 4I11/2 ионов неодима по сбросу люминесценции в малом внешнем образце”, Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1576–1581 [Sov J Quantum Electron, 12:8 (1982), 1010–1013]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5765 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i8/p1576
|
|