Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 8, страницы 1576–1581 (Mi qe5765)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Определение вероятности релаксации населенности уровня 4I11/2 ионов неодима по сбросу люминесценции в малом внешнем образце

В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, В. М. Маркушев

Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва
Аннотация: Предлагается усовершенствованный метод измерения вероятности релаксации населенности уровня 4I11/2 ионов неодима W21. Связь W21, величины сброса и параметров сбрасывающего импульса получена из решения кинетических уравнений для населенностей с учетом штарковской структуры энергетических уровней 4F3/2 и 4I11/2. При T=300K получены значения W21=108 с–1 ( Y3Al5O12:Nd3+) и W21=1,5·108 с–1 (La2O2S:Nd3+). Для кристалла Ba Gd2-xNdx(MoO4)4 при 77 K W21=2,5·108 с–1. Показано, что влияние W21 на эффективность использования запасенной энергии зависит от энергетического зазора между нижним штарковским подуровнем уровня 4I11/2 и подуровнем, являющимся конечным для вынужденных переходов.
Поступила в редакцию: 28.07.1981
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 8, Pages 1010–1013
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n08ABEH005765
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373-826.038.825.3
PACS: 32.70.Cs, 35.10.-d, 42.55.Rz, 31.50.+w


Образец цитирования: В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, В. М. Маркушев, “Определение вероятности релаксации населенности уровня 4I11/2 ионов неодима по сбросу люминесценции в малом внешнем образце”, Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1576–1581 [Sov J Quantum Electron, 12:8 (1982), 1010–1013]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5765
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i8/p1576
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:95
    PDF полного текста:60
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024