Развитие локальных выбросов и формирование волн переключения в бистабильных системах

На примере оптического нагрева полупроводниковых образцов и плазмы исследуются кинетика начальных температурных выбросов и формирование из них волн переключения. Показано, что область параметров выбросов делится на области докритических (рассасывающихся) и закритических возмущений. При параметрах выбросов, близких к пограничной кривой, обнаружено немонотонное временное изменение параметров, в том числе ширины возмущений. Сопоставление со случаем нелинейного интерферометра подтверждает достаточно общий характер основных выводов для различных бистабильных систем.