|
Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 8, страницы 1536–1542
(Mi qe5746)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Лазер на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивной модуляцией добротности
Т. Т. Басиев, Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, С. Б. Миров, В. В. Осико, П. П. Пашинин Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Исследована эффективность лазера на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивным затвором на основе кристаллов LiF с F2–-центрами окраски. Получен КПД около 0,5 % в диапазоне энергий накачки 5,6–13 Дж с выходным распределением, соответствующим моде TEM00. Показано, что основной причиной, ограничивающей энергию импульса генерации, является неполное заполнение апертуры активного элемента. Проведено сравнение результатов эксперимента с расчетом. Получены соотношения, позволяющие с достаточной для практических целей точностью оценивать значения параметров выходного импульса при разных условиях эксперимента. Оценено влияние остаточного и наведенного поглощения, а также времени релаксации пассивного затвора на эффективность генерации.
Поступила в редакцию: 04.11.1981
Образец цитирования:
Т. Т. Басиев, Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, С. Б. Миров, В. В. Осико, П. П. Пашинин, “Лазер на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивной модуляцией добротности”, Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1536–1542 [Sov J Quantum Electron, 12:8 (1982), 984–988]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5746 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i8/p1536
|
|