Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 1, страницы 155–158 (Mi qe5733)  
Краткие сообщения

Модуляция излучения в полупроводниках с помощью эффекта Ганна

И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
PDF полного текста (577 kB)
Аннотация: Рассмотрено взаимодействие излучения с полупроводниковым кристаллом в состоянии ганновской генерации. Показано, что коэффициент отражения, в домене может резко отличаться от своего значения в кристалле. Предложен на этой основе способ амплитудной модуляции излучения. Обсуждаются плазменное и магнетоплазменное отражения.
Поступила в редакцию: 30.01.1973
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, Volume 4, Issue 1, Pages 88–90
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1974v004n01ABEH005733
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.001
PACS: 42.70.Nq, 78.20.Ci, 72.20.Ht, 72.80.Ey, 61.82.Fk


Образец цитирования: И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг, “Модуляция излучения в полупроводниках с помощью эффекта Ганна”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 155–158 [Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 88–90]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5733
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i1/p155
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024