Спонтанное и лазерное излучение селенида галлия при электронном возбуждении

Впервые получено лазерное излучение в GaSe в направлении, перпендикулярном оси С кристалла, имеющего слоистую структуру. Длина волны полученного излучения 609,1 нм, пороговая плотность электронного пучка накачки 20 А/см² при энергии электронов 120 кэВ и длине резонатора 1,5 мм. Излучение почти полностью поляризовано с электрическим вектором, параллельным оси С. Проведены спектральные исследования спонтанного и стимулированного излучения GaSe в различных режимах. Полученные результаты показывают значительные преимущества данной геометрии по сравнению с обычной, когда резонатор образуют поверхности скола.