|
|
Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 1, страницы 141–143
(Mi qe5716)
|
 |
|
 |
Краткие сообщения
Полупроводниковые лазеры с гетероструктурой при электронной накачке
Ю. А. Быковский, И. Г. Гончаров, И. Т. Рассохин, А. Ф. Узкий
Аннотация:
Сообщается о снижении порогового тока для образцов с волноводом и оптимальным легированием на GaAs по сравнению с пороговым током однородно легированных образцов. Достигнут порог генерации 0,15–0,2 А/см2 для энергии возбуждающих электронов 30–50 кэВ при улучшенной внешней дифференциальной квантовой эффективности.
Поступила в редакцию: 14.02.1972
Исправленный вариант: 30.07.1972
Образец цитирования:
Ю. А. Быковский, И. Г. Гончаров, И. Т. Рассохин, А. Ф. Узкий, “Полупроводниковые лазеры с гетероструктурой при электронной накачке”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 141–143 [Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 78–79]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5716 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i1/p141
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 94 | | PDF полного текста: | 59 |
|
Обратная связь: