Полупроводниковые лазеры с гетероструктурой при электронной накачке

Сообщается о снижении порогового тока для образцов с волноводом и оптимальным легированием на GaAs по сравнению с пороговым током однородно легированных образцов. Достигнут порог генерации 0,15–0,2 А/см² для энергии возбуждающих электронов 30–50 кэВ при улучшенной внешней дифференциальной квантовой эффективности.