|
Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 7, страницы 1486–1488
(Mi qe5711)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Катодолюминесценция эпитаксиальных слоев Pb1–xSnxTe с градиентом состава в плоскости роста
А. Н. Власов, В. И. Стафеев, А. И. Уваров, Е. М. Кистова, А. Н. Лихолетов, М. А. Константинова
Аннотация:
Пересублимацией в потоке водорода получены эпитаксиальные слои Pb1–xSnxTe как постоянного состава, так и с градиентом состава в плоскости роста. Интегральная интенсивность излучения сравнима с интенсивностью излучения теллурида свинца для составов x = 0–0,05 мол. доли SnTe. Оптимальная температура выращивания составляла 780–790 °C при перепаде температур между источником и подложкой около 10 °C. Длина волны излучения вдоль градиента состава изменялась от 5 до 15 мкм при температуре 90 K.
Поступила в редакцию: 10.06.1981 Исправленный вариант: 15.09.1981
Образец цитирования:
А. Н. Власов, В. И. Стафеев, А. И. Уваров, Е. М. Кистова, А. Н. Лихолетов, М. А. Константинова, “Катодолюминесценция эпитаксиальных слоев Pb1–xSnxTe с градиентом состава в плоскости роста”, Квантовая электроника, 9:7 (1982), 1486–1488 [Sov J Quantum Electron, 12:7 (1982), 949–951]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5711 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i7/p1486
|
|