Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 1, страницы 216–219 (Mi qe5697)  

Эта публикация цитируется в 24 научных статьях (всего в 24 статьях)

Краткие сообщения

Кристаллы скандий-галлиевых гранатов с хромом как активные среды лазеров на ИК переходах Ho3+ и Tm3+

Е. В. Жариков, С. П. Калитин, В. В. Лаптев, В. Г. Остроумов, З. С. Саидов, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков

Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация: Исследованы спектрально-люминесцентные свойства кристаллов иттрий-скандий-галлиевых гранатов, активированных ионами Cr3+, Ho3+, Tm3+. Измерены времена жизни возбужденных состояний Ho3+, Tm3+. Обнаружена эффективная безызлучательная передача энергии Cr→Ho, Cr→Tm. Установлено наличие более короткодействующих, чем диполь-дипольный, механизмов передачи энергии. Определены микроскопические константы диполь-дипольного взаимодействия. Сделан вывод, что эффективный перенос энергии Cr→Ho, Cr→Tm позволяет надеяться на создание на ИК переходах указанных редкоземельных ионов эффективных лазеров, работающих при комнатной температуре.
Поступила в редакцию: 27.05.1985
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, Volume 16, Issue 1, Pages 145–147
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1986v016n01ABEH005697
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.2
PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.70.Hj


Образец цитирования: Е. В. Жариков, С. П. Калитин, В. В. Лаптев, В. Г. Остроумов, З. С. Саидов, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков, “Кристаллы скандий-галлиевых гранатов с хромом как активные среды лазеров на ИК переходах Ho3+ и Tm3+”, Квантовая электроника, 13:1 (1986), 216–219 [Sov J Quantum Electron, 16:1 (1986), 145–147]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5697
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i1/p216
  • Эта публикация цитируется в следующих 24 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:201
    PDF полного текста:103
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024