Г. Байстер, Ю. Меге, Г. Рихтер, “Влияние поверхности на деградацию в двойных гетероструктурах InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 17:4 (1990), 416–418 [Sov J Quantum Electron, 20:4 (1990), 350

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 4, страницы 416–418 (Mi qe5682)

Физические процессы в активных средах

Влияние поверхности на деградацию в двойных гетероструктурах InGaAsP/InP

Г. Байстер, Ю. Меге, Г. Рихтер

Центральный институт электронной физики АН ГДР, Берлин

PDF полного текста (689 kB)

Аннотация: Исследовались деградационные явления в светоизлучающих диодах типа диодов Барраса на основе InGaAsP/InP при повышенной температуре и постоянном токе. Обнаружены типичные изменения БАХ и БтАХ, которые можно объяснить с помощью поверхностных явлений. Полученные результаты согласуются с более ранними результатами лазерных диодов на основе InGaAsP/InP. В большинстве случаев наблюдалась корреляция между возрастанием поверхностного тока и деградацией, характеризующейся энергией активации около 0,6 эВ.

Поступила в редакцию: 18.08.1989

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, Volume 20, Issue 4, Pages 350–352
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1990v020n04ABEH005682

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.375.826

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.By, 78.68.+m

Образец цитирования: Г. Байстер, Ю. Меге, Г. Рихтер, “Влияние поверхности на деградацию в двойных гетероструктурах InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 17:4 (1990), 416–418 [Sov J Quantum Electron, 20:4 (1990), 350–352]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe5682

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i4/p416

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	106
PDF полного текста:	64
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы