Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 1, страницы 62–68 (Mi qe5666)  
К теории коэффициента усиления в полупроводниковых квантовых генераторах

А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
PDF полного текста (886 kB)
Аннотация: Теоретически исследуется коэффициент усиления света на межзонных переходах в сильнолегированных полупроводниках. Получены аналитические выражения для коэффициента усиления и квазиуровней Ферми при различных типах легирования в зависимости от концентрации примесей, температуры и мощности накачки.
Поступила в редакцию: 09.02.1973
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, Volume 4, Issue 1, Pages 32–35
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1974v004n01ABEH005666
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.001
PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.60.Jf


Образец цитирования: А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, “К теории коэффициента усиления в полупроводниковых квантовых генераторах”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 62–68 [Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 32–35]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5666
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i1/p62
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025