Оптическая память на основе структуры металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл

Проводится рассмотрение свойств структуры металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл (МДПДМ), которые могут быть использованы для создания запоминающих устройств с оптической записью и считыванием информации. Показано, что записанная светом информация может сохраняться в виде слоев свободных носителей, экранирующих внешнее поле в течение нескольких суток. Благодаря захвату свободных носителей поверхностными центрами рассматриваемое запоминающее устройство не требует создания отдельных ячеек. Стирание информации происходит при приложении импульса напряжения. Инерционность при записи ограничивается временем дрейфа свободных носителей (~10^–9 с) в приповерхностные слои. Разрешающая способность определяется краевым эффектом электрического поля образованных микроконденсаторов и диффузией носителей и может составить 300 штрих/мм. Оптическое считывание производится на основе использования эффекта Франца–Келдыша и электрооптического эффекта. Основной недостаток первого способа – изменение информации при считывании, что значительно уменьшает время хранения информации. Считывание, использующее электрооптический эффект, требует более высоких электрических полей и, следовательно, высокой электрической прочности материала. Показано, что в этом случае можно использовать ZnS, электрическая прочность которого допускает применение полей ~10⁵ В/см. Кроме того, предлагается использовать ZnTe и CdTe, которые обладают наибольшими (из известных) электрооптическими коэффициентами.