Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 1, страницы 43–47 (Mi qe5663)  
Эффект насыщения в полупроводниках при оптических переходах без сохранения квазиимпульса с учетом неоднородности поля

И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
PDF полного текста (579 kB)
Аннотация: Изучена зависимость уровня Ферми и коэффициента поглощения от поля при оптических переходах в легированных полупроводниках. Найдено распределение интенсивности светового поля в кристалле в условиях насыщения.
Поступила в редакцию: 06.12.1972
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, Volume 4, Issue 1, Pages 21–23
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1974v004n01ABEH005663
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.001
PACS: 78.20.Ci, 73.20.At, 73.20.Hb


Образец цитирования: И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг, “Эффект насыщения в полупроводниках при оптических переходах без сохранения квазиимпульса с учетом неоднородности поля”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 43–47 [Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 21–23]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5663
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i1/p43
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024