|
|
Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 1, страницы 43–47
(Mi qe5663)
|
 |
|
 |
Эффект насыщения в полупроводниках при оптических переходах без сохранения квазиимпульса с учетом неоднородности поля
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
Аннотация:
Изучена зависимость уровня Ферми и коэффициента поглощения от поля при оптических переходах в легированных полупроводниках. Найдено распределение интенсивности светового поля в кристалле в условиях насыщения.
Поступила в редакцию: 06.12.1972
Образец цитирования:
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг, “Эффект насыщения в полупроводниках при оптических переходах без сохранения квазиимпульса с учетом неоднородности поля”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 43–47 [Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 21–23]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5663 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i1/p43
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 155 | | PDF полного текста: | 64 |
|
Обратная связь: