|
|
Квантовая электроника, 1973, номер 6(18), страницы 117–119
(Mi qe5656)
|
 |
|
 |
Краткие сообщения
Одноканальный инжекционный лазер с областью свечения в несколько микрон
Н. П. Иванов, А. И. Красильников, В. Ф. Литвинов, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. С. Семенов
Аннотация:
Предложен метод изготовления полупроводниковых лазеров на GaAs с шириной области генерации в несколько микрон. Исследованы излучательные характеристики таких лазеров. Их особенностью является работа в одномодовом режиме генерации при 3–4-кратном превышении порога.
Поступила в редакцию: 25.09.1972
Исправленный вариант: 06.07.1973
Образец цитирования:
Н. П. Иванов, А. И. Красильников, В. Ф. Литвинов, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, “Одноканальный инжекционный лазер с областью свечения в несколько микрон”, Квантовая электроника, 6 (1973), 117–119 [Sov J Quantum Electron, 3:6 (1974), 525–526]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5656 https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1973/i6/p117
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 128 | | PDF полного текста: | 46 |
|
Обратная связь: